電子在電場的作用下加速飛（fēi）向基（jī）片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離（lí）子在電場的作用下（xià）加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.二次（cì）電（diàn）子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子體區域（yù）內,該區域內等離子（zǐ）體（tǐ）密度很高,二次電子在磁場的（de）作用下圍繞（rào）靶麵作圓周運動,該電子的運動（dòng）路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發（fā）生碰撞電離（lí）出大量的氬（yà）離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的（de）束縛,遠離靶材,最終（zhōng）沉（chén）積在（zài）基片上.

        磁控濺射就是以磁場束縛和（hé）延長電（diàn）子的運動路徑,改變電子（zǐ）的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是（shì）基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸（guī）宿.但一（yī）般基片與真空室及（jí）陽極在同一電勢.磁場與電（diàn）場的交互作用（E X B shift）使（shǐ）單（dān）個電子軌跡呈三維（wéi）螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓周型的（de）濺射輪廓,那是（shì）靶源磁場磁力線呈圓周形（xíng）狀形狀.磁力線分布方向不（bú）同會對成（chéng）膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍（dù）靶源,離子（zǐ）源,等離子源等都在次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓電流大小而（ér）已.