直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上（shàng），在靶材後麵安防（fáng）磁鋼。可以用（yòng）來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對於純（chún）金屬靶材的濺射，均采用直流磁控濺射，如濺（jiàn）射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻（pín）磁控濺（jiàn）射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物（wù）、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使（shǐ）反應氣體與靶材原（yuán）子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材料製成靶材（cái）的鍍膜或陶瓷靶（bǎ）材在濺（jiàn）鍍後，薄膜成（chéng）分易偏（piān）離原靶（bǎ）材成分，也可通過反應沉積來獲得改善。